現在來談談長晶的MOSFET。它是一種可以廣泛使用在模擬電路與數字電路的場效晶體管，MOS管具有輸入阻抗高、噪聲低、熱穩定性好；制造工藝簡單、輻射強，因而通常被用于放大電路或開關電路。確定MOSFET的首要特性是其漏源電壓VDS，或“漏源擊穿電壓”，這是在柵極短路到源極，漏極電流在250μA情況下，MOSFET所能承受的保證不損壞的最高電壓。VDS也被稱為“25℃下的絕對最高電壓”，但是一定要記住，這個絕對電壓與溫度有關，而且數據表里通常有一個“VDS溫度系數”。在高溫下，溫度系數會顯著改變擊穿電壓。對正確選擇MOSFET同樣重要的是理解在導通過程中柵源電壓VGS的作用。

      長晶采用先進的溝槽技術和設計為優秀的RDS(on）提供低棚極電荷。其具有高效率和電流處理能力、負荷開關、超低RDS(on）的高密度單元設計和獲得無鉛產品的特點，用途非常廣泛。

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